SanDisk ha confirmado que está sampling de BiCS10, su décima generación de memorias 3D NAND flash, desarrollada en colaboración con su socio de fabricación de larga data, Kioxia. Este avance apunta a consolidar un camino claro hacia SSD de capaciad extremadamente alta, manteniendo la fiabilidad y la eficiencia energética en capas de crecimiento masivo.

La evolución a BiCS10 se materializa en un die TLC de 1 Tb que integra 332 capas de memoria, alcanzando una densidad de bits por milímetro cuadrado superior a 29 Gb, cifra que la compañía describe como líder de la industria. Este incremento representa aproximadamente un 59% en densidad de bits respecto a la generación BiCS8, que ya se encontraba en producción en masa.

Un aspecto clave es el diseño de arquitectura: BiCS10 utiliza la unión directa CMOS de Sandisk con una arquitectura de matriz, acoplada a una interfaz Toggle DDR6.0 que eleva las velocidades de transferencia de datos a 4,8 Gb/s, es decir, un incremento de un 33% frente a la generación anterior. En paralelo, la eficiencia energética también mejora notablemente: la potencia de entrada se reduce en un 10% y la potencia de salida cae un 34% en comparación con BiCS8.

SanDisk ya ha delineado una hoja de ruta más amplia basada en este chip, con metas para una SSD de 256 TB en 2026 y 512 TB en 2027. También se ha insinuado la posibilidad de un futuro SSD de 1 PB para centros de datos, aunque sin compromisos de año específicos. Estas proyecciones de capacidad dependen de la adopción de memoria QLC, con la empresa orientándose hacia QLC para la mayor parte de los productos de alta capacidad hacia 2028.

La tecnología detrás de estas futuras unidades proviene de una nueva generación de NAND 3D de 332 capas, desarrollada a través de la asociación entre Sandisk y Kioxia. El chip se fabrica como un die TLC de 1 Tb, aumentando la capacidad mediante apilamiento de capas y un escalado lateral más eficiente, en lugar de incrementar bits por celda.

En lugar de añadir más bits por celda, ambas compañías buscan densidad a través de capas adicionales, diseños de distribución mejorados y nuevos circuitos. Según el anuncio, BiCS10 alcanza 4,8 Gbps de transferencia de datos y reduce el consumo de energía de lectura en un 29% frente a diseños previos, con el objetivo de ampliar la capacidad sin sacrificar durabilidad y fiabilidad, frente a métodos que aumentan el número de bits por celda.

En cuanto a precios, el mercado actual de unidades de alto rendimiento de 122,88 TB ofrece una referencia clara de dónde podría ubicarse un SSD de 512 TB una vez que BiCS10 llegue al mercado en 2027. Por ejemplo, la serie D5-P5336 de Solidigm se comercializa entre aproximadamente 49.275 y 64.168 dólares, dependiendo de la configuración. Proyectando ese costo por terabyte, se podría superar holgadamente los 300.000 dólares para un SSD de 512 TB.

La competencia en este segmento es intensa, con Kioxia, Samsung, Solidigm y Micron persiguiendo hitos de capacidad en cronologías similares. Samsung, por su parte, ha confirmado planes para un SSD PCIe 6.0 de 512 TB hacia 2027, tras el lanzamiento de 256 TB Gen 5 previsto para 2026.

Además, la oferta de NAND sigue marcada por cuellos de botella: se espera que los precios de contrato de flash aumenten entre un 70% y un 75% trimestre a trimestre hacia mediados de 2026. Esta escasez, impulsada principalmente por la demanda empresarial vinculada a infraestructuras de IA generativa, probablemente mantendrá precios elevados para estas unidades mucho más allá de su lanzamiento inicial.

El muestreo de BiCS10 de SanDisk representa solo el primer paso técnico hacia la meta de 2027; la producción en masa y las unidades finales aún están a varios años de distancia de una disponibilidad amplia.

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