• Kioxia’s upgraded GP drive exceeds 20 million random-read IOPS
• Third-gen XL-FLASH improves memory access through shorter wiring and additional planes
• Kioxia LD4 launches with 15.36 TB and 30.72 TB capacities

Kioxia ha anunciado una edición más rápida de su serie GP que supera los 20 millones de IOPS al leer bloques de datos de 512 bytes de forma aleatoria.

El GP1, presentado en agosto de 2026, entregó alrededor de 10 millones de IOPS, por lo que la nueva versión duplica aproximadamente la velocidad del modelo anterior.

El modelo más rápido se apoya en la memoria de tercera generación XL-FLASH, que ofrece tres veces la velocidad de lectura y aproximadamente un 150% más de velocidad de escritura que antes.

Cómo la memoria flash busca rivalizar con DRAM

La empresa persigue un plan para competir con DRAM en mercados de IA al ofrecer almacenamiento flash que se aproxima a la velocidad de la memoria.

“Kioxia está creando soluciones de almacenamiento flash de alto rendimiento para infraestructuras de IA,” afirmó Neville Ichhaporia, vicepresidente sénior y gerente general de la unidad de SD en Kioxia America.

“A medida que la IA impulsa nuevas exigencias de rendimiento, el almacenamiento escalable y eficiente se convierte en la base de la innovación.”

Su tecnología XL-FLASH está diseñada para presentar mayores tasas de operación, acceso más fino de 512 bytes y menor consumo de energía por operación que los SSDs convencionales.

La tercera generación XL-FLASH acorta su cableado de palabras y bits para reducir la demora RC y admite más planos por dado que la Gen 2 de 16.

Se pronostica que su eficiencia aumente aproximadamente un 40% en lecturas y un 80% en escrituras, aunque se espera que la energía utilizada por cada operación siga aumentando.

La GP1 de primera generación utiliza celdas MLC que almacenan 2 bits, un modo SLC más rápido, una disposición de 16 planos y una latencia de lectura por debajo de 5 microsegundos.

Es un unidad PCIe 6.0 NVMe 2.2 diseñada para que las GPUs accedan al almacenamiento directamente, con una resistencia (endurance) de hasta 50 DWPD.

Kioxia no ha divulgado la calificación de endurance de la versión mejorada ni confirmado si mantiene la interfaz PCIe 6.0, pero lo más probable es que siga la trayectoria de su predecesor.

LD4 llega sin cifras de rendimiento

Kioxia también presentó el LD4, una unidad QLC con un puerto que almacena 4 bits por celda en formato E1.L utilizando un enlace PCIe 5 de cuatro carriles.

Viene en capacidades de 15.36 TB y 30.72 TB, aunque su diseño puede escalar hasta 122.88 TB para hyperscalers, lo cual sigue siendo modesto en comparación con la LC9 de Kioxia, de 246 TB de capacidad.

El modelo de 15.36 TB llena una cuarta parte del recinto E1.L, con una versión de 61.44 TB probablemente en la tercera parte.

El LD4 utiliza memoria flash BiCS 8 de 218 capas y parece suceder al LD2 de octubre de 2023, que funcionaba con PCIe 3 con capacidades idénticas.

También admite NVMe 2.0, especificación OCP 2.6 y salvaguardas de ruta completa contra la pérdida de datos.

Kioxia omitió un LD3, por lo que el LD4 sigue al LD2 tras aproximadamente tres años y cambia a un bus PCIe 5 más rápido.

Las unidades rivales E1.L con interfaz PCIe 5 incluyen el 6550 ION de Micron, el R6060 de DapuStor y el Echo de FADU.

Al momento de escribir, la compañía no ha publicado cifras de velocidad ni durabilidad para el LD4.

Vía Blocksandfiles