Kioxia está desarrollando productos de memoria flash diseñados para ayudar a los centros de datos a reducir su dependencia de la DRAM costosa, ante las crecientes exigencias de cargas de trabajo de IA. El fabricante japonés planea combinar tecnología NAND más rápida con interfaces nuevas diseñadas para sistemas de IA que requieren grandes volúmenes de datos accesibles.

Su enfoque incluye SSDs PCIe 6.0 y tecnología de expansión de memoria CXL, aunque la empresa no afirma que estos productos vayan a sustituir completamente a la DRAM.

La línea de SSD de Kioxia apunta a infraestructuras de IA de alto rendimiento

Kioxia está mostrando su serie GP1 PCIe 6.0 NVMe, diseñada para operaciones de entrada y salida extremadamente altas dentro de entornos de infraestructura de IA. Estas unidades permiten una comunicación directa entre GPUs y almacenamiento, lo que podría reducir el movimiento de datos a través de rutas del sistema durante cargas de trabajo computacionales intensivas.

PCIe 6.0 podría atraer la atención por ofrecer un ancho de banda de interfaz significativamente mayor que las generaciones anteriores utilizadas en muchos datos centros.

La compañía también exhibe sus series CM10 de nivel empresarial y NX1 de centros de datos, que cuentan con soporte para enfriamiento líquido. La serie CM10 se apoya en la tecnología BiCS FLASH de décima generación, mientras que la NX1 utiliza un diseño E1.S con conectividad PCIe 5.0.

Estos productos están dirigidos específicamente a entornos de centros de datos donde las mejoras de rendimiento y una gestión térmica mejorada cada vez moldean las decisiones de arquitectura de almacenamiento hoy en día.

Kioxia sostiene que desplazar ciertos trabajos hacia el almacenamiento flash podría aliviar las limitaciones de capacidad y el aumento de costos que afectan actualmente a las cadenas de suministro de memoria a nivel global.

La serie XL1 busca tender un puente entre DRAM y almacenamiento

Según Nikkei Asia, Kioxia tiene planes de usar NAND rápida como alternativa directa a la DRAM convencional.

La novedad más notable es la serie XL1, un módulo de expansión de memoria compatible con CXL, construido sobre la tecnología XL FLASH para una latencia más baja. El módulo pretende usar una interfaz CXL con velocidad de acceso a la memoria transportada a través de un enlace PCIe.

CXL permite que los dispositivos de memoria se conecten de forma más estrecha con los procesadores, creando capacidad adicional sin que cada byte deba permanecer en DRAM. Kioxia afirma que combinar NAND de alta velocidad con un módulo controlador CXL reduce la latencia de lectura de datos a menos de una décima parte de la de los productos NAND convencionales.

La empresa sitúa XL1 para ocupar el espacio de rendimiento y costo entre la DRAM tradicional y el almacenamiento SSD común. Indica que reemplazar parte de la DRAM de un sistema por módulos CXL puede duplicar la capacidad de memoria mientras mejora el rendimiento en un 30%.

Esa distinción importa porque la memoria flash NAND sigue siendo intrínsecamente más lenta que la DRAM, lo que significaría penalidades de rendimiento para aplicaciones sensibles a la latencia si se realizara un reemplazo total.

Se prevé la entrega de unidades de evaluación a socios tecnológicos durante agosto de 2026, brindando a posibles clientes la oportunidad de evaluar la tecnología. Kioxia planea discutir estas innovaciones en FMS 2026 en Santa Clara, California, a través de presentaciones, sesiones técnicas y demostraciones en vivo.

Su estrategia general se centra en complementar la DRAM existente en lugar de eliminarla de las configuraciones de memoria de servidores para IA.

from Latest from TechRadar https://ift.tt/F2rjNEn
via IFTTT IA